U Centru je razvijana nova vrsta senzora pritiska za povišene temperature do 3000S. Nova vrsta senzora je napravlјena uz pomoć standardnih planarnih tehnologija i vlažnog anizotropnog hemijskog nagrizanja SOI (Silicon-On-Insulator) pločica. Ovaj visokotemperaturni senzor pritiska se zasnivao na ideji da piezootpornici nisu više međusobno, kao i od supstrata, izolovani kontaktnim potencijalom p-n spoja, već dielektrikom silicijum dioksidom.

 

 

Kako postoji značajna potreba za merenjem niskih pritisaka fluida čija temperatura može biti vrlo visoka, u Centru je započet razvoj novog tipa visokotemperaturnogsenzora apsolutnihnižih pritiska, koji ima kvadratnu profilisanu dijafragmu u obliku centriranog središnjeg ojačanja – bosa. Piezootpornici senzora su međusobno izolovani silicijum dioksidom, kao i od supstrata. Ovaj senzor je napravlјen na bazi SOI pločica, ali je primenjena maskless tehnika zasnovana na vlažnom hemijskom nagrizanju u vodenom rastvoru tetrametil amonijum hidroksida. Maskless tehnika je primenjena da bi se dobila profilisana dijafragma sa središnjim bosom oblika pravilne zarublјene piramide i piezootpornici ponovlјivih dimenzija. Ovakva dijafragma omogućava dobru linearnost odziva kod senzora niskih pritisaka.